三星电子拟年底启动美国德州第二家芯片厂建设工作

　　三星电子公司周四表示股票证券配资，将于今年年底在美国德克萨斯州泰勒厂区启动第二座半导体晶圆厂（泰勒2号晶圆厂，Taylor Fab 2）的建设工作。

　　这家全球最大存储芯片厂商在财报电话会议上表示，计划在 2026 年内动工修建泰勒2号晶圆厂，目标在 2030 年实现投产。

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　　三星电子补充称，泰勒1号晶圆厂项目建设按计划推进，预计 2026 年投入运营；厂区投产之后，公司将逐步扩产 2 纳米工艺芯片。

　　三星表示：“随着客户咨询 1.4 纳米工艺的需求持续增加，我们也在评估新增晶圆制造产能的方案。后续将结合客户订单与商务洽谈，分阶段制定详细规划。”

　　该公司还表示，正逐步将成熟工艺产能转向盈利能力更强的 3 纳米产品生产，同时集中资源布局具备高技术壁垒的高价值特色芯片产品。

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